Question

અભિકલ્પન A: O ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી N અને F કરતાં ઓછી છે.
કારણ R: O માંથી એક ઇલેક્ટ્રોનનું નુકસાન સ્થિર અર્ધ-ભરેલા p ઓર્બિટલ તરફ દોરી જાય છે.

• A. A અયોગ્ય છે પરંતુ R સાચું છે.
• B. A અને R બંને સાચા છે અને R, A નું સાચું સમજૂતી છે.
• C. A અને R બંને સાચા છે પરંતુ R, A ની સાચી સમજૂતી નથી.
• D. A સાચું છે પરંતુ R અયોગ્ય છે.

Hint:

હંમેશા યાદ રાખો: અર્ધ-ભરેલી (Half-filled) ઓર્બિટલ્સ અતિશય સ્થિરતા આપે છે, તેથી જ નાઇટ્રોજનની પ્રથમ IE ઓક્સિજન કરતા વધારે હોય છે!

Answer 1

The Correct Option is D

Step 1: Understanding the Concept:
આયનીકરણ એન્થાલ્પી (IE) પરમાણુની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના અને કેન્દ્રીય આકર્ષણ પર આધાર રાખે છે.

Step 2: Detailed Explanation:
- A સાચું છે: નાઇટ્રોજન (\( 2p^3 \)) માં અર્ધ-ભરેલી p-ઓર્બિટલ હોવાથી તે ઓક્સિજન (\( 2p^4 \)) કરતા વધુ સ્થિર છે, તેથી N ની IE > O ની IE. તેમજ F ની IE તેની ઉચ્ચ વિદ્યુતઋણતા અને નાના કદને કારણે O કરતા વધારે છે.
- R અયોગ્ય છે: O નું ઇલેક્ટ્રોનિક બંધારણ \( 2p^4 \) છે. તેમાંથી એક ઇલેક્ટ્રોન દૂર થતા તે \( 2p^3 \) (અર્ધ-ભરેલી) રચના પ્રાપ્ત કરે છે. આ બાબત O ની IE ઓછી હોવાનું કારણ હોઈ શકે, પરંતુ તે N અને F ની સાપેક્ષ તુલનાની સંપૂર્ણ સમજૂતી નથી.

Step 3: Final Answer:
વિધાન A સાચું છે અને R અયોગ્ય છે.